XRD检测

常见问题

XRD检测需要多长时间？通常7-15个工作日

常规XRD检测周期为7至15个工作日，具体时间视样品数量、测试项目复杂度及原位测试条件而定，如有加急需求可沟通缩短周期。

XRD检测费用大概多少？根据检测项目数量确定

检测费用根据所需的测试项目数量、测试模式（如常规扫描、小角测试、原位测试）及数据解析难度综合核算，具体需提供检测需求后确认。

XRD测试对样品有什么要求？

粉末样品需研磨至约200目并平整压片，块状样品尺寸需符合仪器样品台大小（通常不大于20mm×20mm），薄膜样品需提供基底信息。

XRD检测项目

• 物相定性分析：通过与标准数据库比对，判定样品中所含的晶体物相种类。
• 物相定量分析：采用Rietveld法或内标法，计算各物相在混合物中的质量百分比。
• 晶体结构测定：确定晶胞参数、空间群及原子坐标，反映原子的空间排布。
• 结晶度测试：通过结晶区与非晶区衍射峰面积比，计算材料的结晶度百分比。
• 晶粒尺寸计算：利用Scherrer公式根据衍射峰半高宽评估晶粒的平均尺寸。
• 微观应变测定：分析衍射峰的宽化效应，评估材料内部的残余应力与微观应变。
• 点阵常数测定：精确测量晶面间距，计算晶格常数以反映晶体结构的微小变化。
• 择优取向分析：测量极图，分析多晶材料中晶粒的取向分布规律。
• 残余应力测试：采用X射线衍射法测定材料表面的宏观残余应力大小及方向。
• 织构分析：通过极图或反极图分析材料中晶粒的取向分布，评估材料各向异性。
• 薄膜厚度与密度测试：利用X射线反射率分析薄膜的厚度、密度及粗糙度。
• 外延薄膜分析：通过高分辨XRD，分析外延生长薄膜的晶格失配与弛豫度。
• 多晶型物分析：鉴别药物或化合物中存在的不同多晶型结构，影响溶解度与稳定性。
• 介孔结构分析：通过小角X射线衍射分析纳米级介孔材料的孔道结构。
• 高温原位XRD分析：在不同温度条件下实时监测物相转变过程与热膨胀行为。
• 变温原位XRD分析：在程序控温下连续采集图谱，研究相变温度与动力学机制。
• 粗糙度分析：通过X射线反射率拟合分析样品表面的纳米级粗糙度参数。
• 层状结构分析：针对层状材料测定层间距及层间堆叠周期。
• 非晶态结构判定：通过是否存在弥散散射晕环判定材料的非晶或玻璃态特征。
• 杂相鉴别：检测主相之外的微量杂相，评估材料的纯度与合成工艺。

检测范围

• 粉末样品XRD测试
• 块状样品XRD测试
• 薄膜样品XRD测试
• 金属与合金材料XRD分析
• 矿物与岩石样品XRD分析
• 陶瓷材料XRD测试
• 高分子聚合物XRD测试
• 纳米材料XRD表征
• 催化剂材料XRD分析
• 半导体材料XRD测试
• 药物多晶型XRD测试
• 电池材料XRD分析
• 玻璃材料XRD测试
• 水泥与建筑材料XRD分析
• 涂层与镀层XRD测试
• 粘土矿物XRD分析
• 铁电与压电材料XRD测试
• 超导材料XRD分析
• 化学试剂纯度XRD验证
• 复合材料XRD物相分析

检测标准（部分）

• GB/T 36655-2018 电子封装用球形二氧化硅微粉中α态晶体二氧化硅含量的测试方法 XRD法
• BS ISO 23071:2021 Refractory products. Determination of reduced species in carbon containing refractories by XRD
• ASTM F3419-22 Standard Test Method for Mineral Characterization of Equine Surface Materials by X-Ray Diffraction (XRD) Techniques
• ISO 21068-4:2024 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon — Part 4: XRD methods
• 20255179-T-469 含碳化硅、氮化硅、氧氮化硅和赛隆耐火材料化学分析方法 第4部分：XRD法
• UNE-EN 12698-2:2007 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories - Part 2: XRD methods
• DIN EN ISO 21068-4:2024-11 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon - Part 4: XRD methods (ISO 21068-4:2024)
• DIN EN 12698-2:2007-06 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories - Part 2: XRD methods
• ISO 23071:2021 Refractory products — Determination of reduced species in carbon containing refractories by XRD
• DIN EN ISO 21068-4:2023-07 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon - Part 4: XRD methods (ISO/DIS 21068-4:2023); German and English version prEN ISO 21068-4:2023
• EN 12698-2:2007 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories - Part 2: XRD methods
• BS EN 12698-2:2007 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories-XRD methods
• GB/T 47098-2026 耐火材料 X射线衍射法测定含碳耐火材料中的还原性物质
• GA/T 1422-2017 法庭科学常见火炸药组分检验　X射线衍射法
• ISO 22278:2020 Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for crystalline quality of single-crystal thin film (wafer) using XRD method with parallel X-ray beam
• GB/T 47625-2026 精细陶瓷 平行光束X射线衍射法测定单晶薄膜（晶圆）结晶质量
• BS ISO 22278:2020 Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics). Test method for crystalline quality of single-crystal thin film (wafer) using XRD method with parallel X-ray beam
• SN/T 3514-2013 电工钢晶粒取向与无取向鉴定方法 X射线衍射测定织构法
• EN ISO 21068-4:2024 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon - Part 4: XRD methods (ISO 21068‑4:2024)

检测信息

XRD是一种利用X射线在晶体中的衍射现象来分析物质内部结构、物相组成和结晶度的检测技术，广泛应用于材料科学、地质矿产、冶金、化工等领域。

检测目的在于确定样品的物相种类、晶体结构参数及晶粒尺寸，涉及X射线源照射、衍射光束接收与数据处理等技术手段。

检测流程通常包括样品制备、扫描测试、数据采集与图谱比对，核心参数涵盖衍射角（2θ）、衍射峰强度和半高宽（FWHM）。

总结

XRD是利用X射线衍射原理分析材料物相组成、晶体结构与结晶度的检测技术，覆盖粉末、块体、薄膜等多种形态的样品。常规检测周期通常为7至15个工作日。

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