检测信息
FIB分析是一种利用聚焦离子束技术对材料进行微纳米级截面切割、形貌观察及成分分析的检测方法，广泛应用于半导体器件失效分析、集成电路工艺诊断和纳米材料结构表征领域。
该检测的主要目的是通过离子束剥蚀获取目标区域的高分辨率截面图像，结合能谱仪实现特定微区的元素组成测定，涉及离子束与样品相互作用、二次电子成像及溅射产率控制等核心技术手段。
检测流程通常包括样品表面预处理、定位标记制作、铂条沉积保护、离子束粗铣与精铣切割截面、很终通过电子束扫描获取截面形貌图及微区成分数据，核心参数涵盖离子束流强度、加速电压及铣削深度。
检测范围
- 半导体集成电路金属互连层截面缺陷分析
- MEMS器件微机械结构形貌观测
- 封装芯片TSV硅通孔剖面检测
- LED芯片外延层厚度与界面结构测量
- 功率半导体器件IGBT芯片损伤分析
- 存储器DRAM电容结构截面观察
- 纳米材料一维纳米线截面形貌表征
- 二维材料石墨烯薄膜厚度与层数测定
- 复合材料纤维与基体界面微观结构分析
- 金属合金晶界析出相截面观察
- 陶瓷材料微孔洞缺陷截面切割分析
- 高分子聚合物薄膜多层结构剖面观测
- 锂电池固态电解质界面层厚度测量
- 太阳能电池钙钛矿层界面扩散分析
- 微透镜阵列光学元件截面轮廓检测
- 芯片焊料凸点下金属层结构分析
- 晶圆键合界面空洞缺陷截面观察
- 薄膜太阳能电池各膜层厚度测量
- 磁存储介质多层薄膜结构截面分析
- 微纳米加工器件线宽与侧壁形貌测量
- 生物医用钛合金表面涂层截面结构检测
检测标准（部分）
- GB/T 16840.7-2021 电气火灾痕迹物证技术鉴定方法 第7部分:EDS成分分析法
- GB/T 20726-2025 微束分析 扫描电子显微镜（SEM）或电子探针显微分析仪（EPMA）用X射线能谱仪（EDS）主要性能参数及核查方法
- GB/T 18735-2002 分析电镜(AEM/EDS)纳米薄标样通用规范
- 20253748-T-469 微束分析 分析电镜（AEM/EDS）纳米薄标样通用规范
- ISO 20720:2018 Microbeam analysis — Methods of specimen preparation for analysis of general powders using WDS and EDS
- DB65/T 4489-2022 天然彩色棉鉴别方法EDS能谱分析法
- BS ISO 20720:2018 Microbeam analysis. Methods of specimen preparation for analysis of general powders using WDS and EDS
- T/CIET 1253-2025 扫描电镜-能谱仪(SEM-EDS)分析技术规范
- KS D ISO 22309(2021 Confirm)(2021) 마이크로빔 분석－에너지 분산 분광법(EDS)을 이용한 정량 분석
- KS D ISO 22309-2011(2021) 마이크로빔 분석－에너지 분산 분광법(EDS)을 이용한 정량 분석
- KS D ISO 22309-2011(2016) 마이크로빔 분석－에너지 분산 분광법(EDS)을 이용한 정량 분석
- ISO 22309:2011 Microbeam analysis — Quantitative analysis using energy-dispersive spectrometry (EDS) for elements with an atomic number of 11 (Na) or above
- DIN ISO 22309:2015-11 Microbeam analysis - Quantitative analysis using energy-dispersive spectrometry (EDS) for elements with an atomic number of 11 (Na) or above (ISO 22309:2011)
- ISO 22309:2006 Microbeam analysis — Quantitative analysis using energy-dispersive spectrometry (EDS)
- ISO 15632:2021 Microbeam analysis — Selected instrumental performance parameters for the specification and checking of energy-dispersive X-ray spectrometers (EDS) for use with a scanning electron microscope (SEM) or an electron probe microanalyser (EPMA)
- GB/T 16399-2021(英文版) 黏土化学分析方法
- BS ISO 22309:2011 Microbeam analysis. Quantitative analysis using energy-dispersive spectrometry (EDS) for elements with an atomic number of 11 (Na) or above
- DIN ISO 15632:2022-09 Microbeam analysis - Selected instrumental performance parameters for the specification and checking of energy-dispersive X-ray spectrometers (EDS) for use with a scanning electron microscope (SEM) or an electron probe microanalyser (EPMA) (ISO 15632:2021)
- ASTM E3309-21 Standard Guide for Reporting of Forensic Primer Gunshot Residue (pGSR) Analysis by Scanning Electron Microscopy/Energy Dispersive X-Ray Spectrometry (SEM/EDS)
- BS ISO 22309:2006 Microbeam analysis. Quantitative analysis using energy-dispersive spectrometry (EDS)
FIB分析检测项目
- 截面形貌观察用于判定材料内部界面结合状态及缺陷形貌特征
- 微区厚度测量用于评估薄膜沉积工艺的实际膜厚是否满足设计公差要求
- 离子束截面切割用于获取特定微区内部真实物理结构以辅助失效定位
- 线宽测量用于评估光刻工艺精度及图形转移后的线宽偏差
- 侧壁形貌角测量用于判定刻蚀工艺各向异性特征及侧壁垂直度
- 晶界结构观察用于分析多晶材料晶界处的析出相分布及元素偏聚情况
- 空洞缺陷定位用于识别集成电路金属互连层内部的电迁移空洞位置
- 界面过渡层分析用于判定异质材料界面处的元素互扩散深度及反应层厚度
- 铂条沉积保护用于防止高能离子束对目标区域表面造成非预期溅射损伤
- 三维重构分析用于获取微纳器件内部结构的立体形貌及体积数据
- 能谱线扫描用于测定截面特定方向上元素浓度梯度变化趋势
- 能谱面扫描用于表征特定微区表面元素面分布均匀性
- 晶粒度测量用于评估多晶材料截面晶粒尺寸分布特征
- 层间剥离分析用于判定薄膜多层结构截面处的层间结合力薄弱点
- 纳米压痕形貌观察用于获取微区力学测试后的压痕截面轮廓数据
- 电迁移空洞分析用于评估金属导线在电流应力作用下的内部结构退化程度
- 应力空洞分析用于判定金属互连结构内部因热应力产生的孔洞缺陷状态
- 杂质粒子分析用于识别并定位晶圆表面或器件内部的颗粒污染源位置
- 浅结结深测量用于判定半导体掺杂区域离子注入后的实际结深参数
- 接触孔形貌分析用于评估半导体器件通孔刻蚀后的底部形貌及残留情况
常见问题
FIB分析检测需要多长时间？
通常7-15个工作日，具体时长取决于样品制备难度、目标微区定位复杂度及截面切割数量，复杂的多层结构三维重构分析可能需要更长时间。
FIB分析检测费用大概多少？
根据检测项目数量确定，基础的单点截面形貌观察与能谱分析费用固定，若涉及多点截面切割、三维重构或线面扫描成分分析，费用将依据分析工时和测试点数相应增加。
FIB分析对样品有什么要求？
样品尺寸需满足仪器真空腔体装载限制，一般长宽建议不超过特定尺寸，样品需具备一定导电性，非导电样品需进行表面喷金或喷碳处理以避免荷电效应影响成像质量。
总结
FIB分析是聚焦离子束微观截面切割与形貌成分分析的检测，覆盖半导体器件失效定位、薄膜厚度测量及纳米材料界面结构表征等内容。
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旗下实验室资质
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